Porėtas grafitas, skirtas aukštos kokybės SiC kristalų auginimui PVT metodu

Silicio karbidas (SiC) tapo pagrindine medžiaga puslaidininkių technologijos srityje, pasižyminčia išskirtinėmis savybėmis, dėl kurių jis labai pageidautinas įvairioms elektroninėms ir optoelektroninėms reikmėms. Aukštos kokybės SiC monokristalų gamyba yra labai svarbi siekiant tobulinti įrenginių, tokių kaip galios elektronika, šviesos diodai ir aukšto dažnio įrenginiai, galimybes. Šiame straipsnyje mes gilinamės į akytojo grafito reikšmę fizinio garų transportavimo (PVT) metodu 4H-SiC monokristalų augimui.

PVT metodas yra plačiai naudojamas SiC monokristalų gamybos būdas. Šis procesas apima SiC šaltinių medžiagų sublimaciją aukštos temperatūros aplinkoje, po to jų kondensaciją ant sėklinio kristalo, kad susidarytų vieno kristalo struktūra. Šio metodo sėkmė labai priklauso nuo sąlygų augimo kameroje, įskaitant temperatūrą, slėgį ir naudojamas medžiagas.

Akytasis grafitas, pasižymintis unikalia struktūra ir savybėmis, vaidina pagrindinį vaidmenį skatinant SiC kristalų augimo procesą. SiC kristalai, išauginti tradiciniais PVT metodais, turės keletą kristalų formų. Tačiau krosnyje naudojant porėtą grafito tiglį galima žymiai padidinti 4H-SiC monokristalo grynumą.

Porėto grafito įtraukimas į PVT metodą 4H-SiC monokristalų auginimui yra reikšminga pažanga puslaidininkių technologijos srityje. Unikalios akytojo grafito savybės prisideda prie geresnio dujų srauto, temperatūros homogeniškumo, įtampos mažinimo ir geresnio šilumos išsklaidymo. Dėl šių veiksnių kartu gaminami aukštos kokybės pavieniai SiC kristalai su mažiau defektų, o tai atveria kelią efektyvesnių ir patikimesnių elektroninių ir optoelektroninių prietaisų kūrimui. Kadangi puslaidininkių pramonė ir toliau vystosi, akytojo grafito panaudojimas SiC kristalų augimo procesuose gali vaidinti pagrindinį vaidmenį formuojant elektroninių medžiagų ir prietaisų ateitį.