TaC danga

TaC keramikos lydymosi temperatūra net 3880°C, didelis kietumas (Mohso kietumas 9-10), didelis šilumos laidumas (22W·m).^-1·K⁻¹), didelis atsparumas lenkimui (340-400 MPa) ir mažas šiluminio plėtimosi koeficientas (6,6 × 10^-6K-1), pasižymi puikiu termocheminiu stabilumu ir puikiomis fizinėmis savybėmis, todėl TaC dangos plačiai naudojamos aviacijos ir erdvėlaivių šiluminei apsaugai, o grafito ir C/C kompozitai turi gerą cheminį ir mechaninį suderinamumą. ), pasižymi puikiu termocheminiu stabilumu ir puikiomis fizinėmis savybėmis, o grafito ir C/C kompozitai pasižymi geru cheminiu ir mechaniniu suderinamumu, todėl TaC dangos plačiai naudojamos aviacijos ir kosmoso šiluminės apsaugos, monokristalų auginimo, energijos ir elektronikos bei medicinos prietaisų srityse, tt TaC dengtas grafitas pasižymi geresniu cheminiu atsparumu nei plikas grafitas arba SiC dengtas grafitas ir gali būti stabiliai naudojamas aukštoje 2600° temperatūroje. 2600 ° stabilumas aukštoje temperatūroje, o daugelis metalinių elementų nereaguoja, yra trečios kartos puslaidininkių monokristalų augimo ir plokštelių ėsdinimo scenarijai, užtikrinantys geriausią dangos veikimą, gali žymiai pagerinti temperatūros ir priemaišų kontrolės procesą, aukšto lygio paruošimą. - kokybiškos silicio karbido plokštelės ir susijusios epitaksinės plokštelės. Tai ypač tinka MOCVD įrangai auginti GaN arba AlN monokristalams ir PVT įrangai SiC monokristalams auginti, o užaugintų monokristalų kokybė žymiai pagerėja.

Remiantis tyrimo rezultatais,TaC danga gali veikti kaip apsauginis ir izoliacinis sluoksnis, prailginantis grafito komponentų tarnavimo laiką, pagerinantis radialinės temperatūros vienodumą, palaikantis SiC sublimacijos stechiometriją, slopinantis priemaišų migraciją ir sumažinantis energijos sąnaudas. Tikimasi, kad TaC dengtas grafito tiglis pagerins SiC PVT proceso kontrolę ir produkto kokybę.